Китайски изследователски екип разработи „революционно“ устройство с флаш памет, което може да съхранява данни със скорост от един бит за 400 пикосекунди.
Това е нов световен рекорд за устройство с полупроводникова памет.
Устройството беше наречено PoX. То е енергонезависимо и превъзхожда най-бързите технологии за летлива памет, които изискват от 1 до 10 наносекунди за съхраняване на един бит данни. Това е една хилядна от наносекундата или една трилионна от секундата.
Летливата памет, като SRAM и DRAM, губи данни при прекъсване на захранването.
Енергонезависимата памет не отговаря на съвременните изисквания за високоскоростен достъп до данни.
Екип от университета Фудан разработи флаш памет, базирана на графенов канал с двумерна структура на Дирак.
Иновативният механизъм позволява да се преодолеят ограниченията на скоростта на енергонезависимото съхранение на информация и достъпа до нея.
За постигането на целите са използвани механизми с изкуствен интелект, съобщава Nature.
